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3000
15
Common Emitter
R L = 7.5 ?
1000
12
T C = 25 ℃
9
300 V
100
Eoff
6
Common Emitter
V CC = 100 V
200 V
10
Eon
V CC = 300V, V GE = ± 15V
R G = 5 ?
T C = 25 ℃
T C = 125 ℃
3
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
30
60
90
120
150
180
Collector Current, I C [A]
Fig 13. Switching Loss vs. Collector Current
500
I C MAX. (Pulsed)
100
Gate Charge, Q g [ nC ]
Fig 14. Gate Charge Characteristics
500
I C MAX. (Continuous)
50us
100
100us
1 ?
10
DC Operation
10
1
Single Nonrepetitive
Pulse T C = 25 ℃
Curves must be derated
V GE =20V, T C =100 C
linearly with increase
in temperature
Safe Operating Area
o
0.1
0.3
1
10
100
1000
1
1
10
100
1000
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
Fig 15. SOA Characteristics
1
0.5
0.2
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
Fig 16. Turn-Off SOA Characteristics
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
single pulse
Pdm
t1
t2
1E-3
Duty factor D = t1 / t2
Peak Tj = Pdm × Zthjc + T C
10
10
10
10
-5
10
-4
10
-3
-2
-1
0
10
1
Rectangular Pulse Duration [sec]
Fig 17. Transient Thermal Impedance of IGBT
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation
SGH80N60UFD Rev. B1
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